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LPM2302B3F

20V N沟道MOS

制造商:
LOWPOWER(微源半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LPM2302B3F 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3.5A
栅源极阈值电压 1V @ 250uA
漏源导通电阻 50mΩ @ 3.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.25W

库存:52,050

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.1576
数量 单价(含税) 总计
20+ ¥0.1576 ¥3.1520
200+ ¥0.1186 ¥23.7200
600+ ¥0.1114 ¥66.8400
2,000+ ¥0.1043 ¥208.6000
10,000+ ¥0.1011 ¥1,011.0000
20,000+ ¥0.0995 ¥1,990.0000

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