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KNF4660A

N沟道,600V,7A,1Ω@10V

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KNF4660A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 1.25Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 42W(Tc)

库存:50,975

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.4386
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.4386 ¥1.4386
10+ ¥1.0759 ¥10.7590
30+ ¥1.0094 ¥30.2820
100+ ¥0.9428 ¥94.2800
500+ ¥0.9131 ¥456.5500
1,000+ ¥0.8986 ¥898.6000

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