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| 数据手册 | VBJ1201K 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 580mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.1W |
库存：59,005
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.4712
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.4712 | ￥1.4712 |
| 10+ | ￥1.0884 | ￥10.8840 |
| 30+ | ￥1.0181 | ￥30.5430 |
| 100+ | ￥0.9478 | ￥94.7800 |
| 500+ | ￥0.9166 | ￥458.3000 |
| 1,000+ | ￥0.9011 | ￥901.1000 |
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