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CS12N60FA9R

N沟道,600V,12A,570mΩ@10V

制造商:
华润华晶
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CS12N60FA9R 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 750mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 42W(Tc)

库存:53,886

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.7300
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.7300 ¥2.7300
10+ ¥2.0514 ¥20.5140
30+ ¥1.9266 ¥57.7980
100+ ¥1.7940 ¥179.4000
500+ ¥1.7394 ¥869.7000
1,000+ ¥1.7160 ¥1,716.0000

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