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CRST041N08N

N沟道

制造商:
CRMICRO(华润微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CRST041N08N 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 85V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 4.1mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 208W(Tc)

库存:57,946

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.1434
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.1434 ¥3.1434
10+ ¥2.3244 ¥23.2440
30+ ¥2.1684 ¥65.0520
100+ ¥2.0202 ¥202.0200
500+ ¥1.9578 ¥978.9000
1,000+ ¥1.9188 ¥1,918.8000

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