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VBE2104N

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBE2104N 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) -100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 40A
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
最大功率耗散(Ta=25°C) 136W

库存:50,503

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.6972
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.6972 ¥3.6972
10+ ¥2.7222 ¥27.2220
30+ ¥2.5506 ¥76.5180
100+ ¥2.3712 ¥237.1200
500+ ¥2.2932 ¥1,146.6000
1,000+ ¥2.2542 ¥2,254.2000

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