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LPM3413B3F

-20V,P沟道MOS

制造商:
LOWPOWER(微源半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LPM3413B3F 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) -20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
栅源极阈值电压 1V @ 250uA
漏源导通电阻 95mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.4W

库存:57,449

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.1946
数量 单价(含税) 总计
10+ ¥0.1946 ¥1.9460
100+ ¥0.1439 ¥14.3900
300+ ¥0.1346 ¥40.3800
1,000+ ¥0.1253 ¥125.3000
5,000+ ¥0.1212 ¥606.0000
10,000+ ¥0.1191 ¥1,191.0000

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