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KIA12N65H

N沟道 12A 650V

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KIA12N65H 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 12A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 750mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 54W

库存:51,747

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.5272
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.5272 ¥2.5272
10+ ¥1.9032 ¥19.0320
30+ ¥1.7862 ¥53.5860
100+ ¥1.6770 ¥167.7000
500+ ¥1.6224 ¥811.2000
1,000+ ¥1.5990 ¥1,599.0000

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