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JCS4N65VB-IPAK

N沟道 650V 4A

制造商:
吉林华微
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 JCS4N65VB-IPAK 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 117.9W(Tc)

库存:58,187

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.1228
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.1228 ¥1.1228
10+ ¥0.8305 ¥8.3050
30+ ¥0.7767 ¥23.3010
100+ ¥0.7231 ¥72.3100
500+ ¥0.6992 ¥349.6000
1,000+ ¥0.6874 ¥687.4000

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