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VBA1104N

N沟道,100V,6.4A,40mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBA1104N 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 6.4A(Tc)
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 40mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 5.9W(Tc)

库存:54,207

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.9640
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.9640 ¥2.9640
10+ ¥2.1684 ¥21.6840
30+ ¥2.0202 ¥60.6060
100+ ¥1.8798 ¥187.9800
500+ ¥1.8096 ¥904.8000
1,000+ ¥1.7784 ¥1,778.4000

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