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| 数据手册 | AT10N65S 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 1Ω @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 156(Tc) |
库存：54,786
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.0342
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.0342 | ￥3.0342 |
| 10+ | ￥2.2776 | ￥22.7760 |
| 30+ | ￥2.1372 | ￥64.1160 |
| 100+ | ￥1.9968 | ￥199.6800 |
| 500+ | ￥1.9344 | ￥967.2000 |
| 1,000+ | ￥1.9032 | ￥1,903.2000 |
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