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CEP05N65

N沟道,650V,4.5A,2.4Ω@10V

制造商:
CET(华瑞)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CEP05N65 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 84W(Tc)

库存:54,492

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.8408
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.8408 ¥1.8408
10+ ¥1.3650 ¥13.6500
30+ ¥1.2792 ¥38.3760
100+ ¥1.1856 ¥118.5600
500+ ¥1.1466 ¥573.3000
1,000+ ¥1.1310 ¥1,131.0000

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