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LSB65R041GF

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LSB65R041GF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 78A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 41mΩ @ 39A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 500W(Tc)

库存:55,130

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥20.0382
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥20.0382 ¥20.0382
10+ ¥17.2146 ¥172.1460
30+ ¥16.6998 ¥500.9940
100+ ¥16.1772 ¥1,617.7200
500+ ¥15.9510 ¥7,975.5000
1,000+ ¥15.6624 ¥15,662.4000

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