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VBE1606

N沟道,60V,75A,6mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBE1606 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 97A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 12mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 136W

库存:58,942

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.1902
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.1902 ¥3.1902
10+ ¥2.3556 ¥23.5560
30+ ¥2.1996 ¥65.9880
100+ ¥2.0436 ¥204.3600
500+ ¥1.9734 ¥986.7000
1,000+ ¥1.9422 ¥1,942.2000

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