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RU1H35L

N 沟道,100V,40A,21mΩ@10V

制造商:
Ruichips(锐骏半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 RU1H35L 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 25mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 97W(Tc)

库存:55,549

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.7784
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.7784 ¥1.7784
10+ ¥1.3338 ¥13.3380
30+ ¥1.2480 ¥37.4400
100+ ¥1.1700 ¥117.0000
500+ ¥1.1310 ¥565.5000
1,000+ ¥1.1154 ¥1,115.4000

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