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VBL1105

N沟道,100V,120A,3.5mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBL1105 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 110A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 375W

库存:52,039

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥9.9996
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥9.9996 ¥9.9996
10+ ¥7.3632 ¥73.6320
30+ ¥6.8718 ¥206.1540
100+ ¥6.3882 ¥638.8200
500+ ¥6.1698 ¥3,084.9000
1,000+ ¥6.0684 ¥6,068.4000

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