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| 数据手册 | 1N65G-AA3-R 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.2A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 12.5Ω @ 600mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 8W(Tc) |
库存：57,717
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.4742
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.4742 | ￥2.3710 |
| 50+ | ￥0.3534 | ￥17.6700 |
| 150+ | ￥0.3312 | ￥49.6800 |
| 500+ | ￥0.3090 | ￥154.5000 |
| 2,500+ | ￥0.2991 | ￥747.7500 |
| 5,000+ | ￥0.2942 | ￥1,471.0000 |
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