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TSF16N60MR

N沟道,600V,16A,0.47Ω

制造商:
Truesemi(信安)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSF16N60MR 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 16A(Tc)
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
漏源导通电阻 470mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 40W(Tc)

库存:53,295

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.9796
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.9796 ¥2.9796
10+ ¥2.2074 ¥22.0740
30+ ¥2.0670 ¥62.0100
100+ ¥1.9188 ¥191.8800
500+ ¥1.8564 ¥928.2000
1,000+ ¥1.8252 ¥1,825.2000

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