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| 数据手册 | EMB22A04G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -40V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 22mΩ @ 8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W |
库存：52,111
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.1034
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.1034 | ￥1.1034 |
| 10+ | ￥0.8071 | ￥8.0710 |
| 30+ | ￥0.7526 | ￥22.5780 |
| 100+ | ￥0.6983 | ￥69.8300 |
| 500+ | ￥0.6741 | ￥337.0500 |
| 1,000+ | ￥0.6621 | ￥662.1000 |
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