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| 数据手册 | VBL1101N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 10mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250W |
库存：54,456
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.5724
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.5724 | ￥3.5724 |
| 10+ | ￥2.6286 | ￥26.2860 |
| 30+ | ￥2.4570 | ￥73.7100 |
| 100+ | ￥2.2854 | ￥228.5400 |
| 500+ | ￥2.2074 | ￥1,103.7000 |
| 1,000+ | ￥2.1762 | ￥2,176.2000 |
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