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| 数据手册 | VBE165R04 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 2.1Ω @ 3.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 60W(Tc) |
库存：58,036
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.4892
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.4892 | ￥1.4892 |
| 10+ | ￥1.0993 | ￥10.9930 |
| 30+ | ￥1.0277 | ￥30.8310 |
| 100+ | ￥0.9561 | ￥95.6100 |
| 500+ | ￥0.9243 | ￥462.1500 |
| 1,000+ | ￥0.9085 | ￥908.5000 |
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