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LSB65R125HT

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LSB65R125HT 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 25A(Tc)
栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻 125mΩ @ 12.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 216W(Tc)

库存:51,211

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥11.1462
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥11.1462 ¥11.1462
10+ ¥8.1588 ¥81.5880
30+ ¥7.6128 ¥228.3840
100+ ¥7.0668 ¥706.6800
500+ ¥6.8250 ¥3,412.5000
1,000+ ¥6.7002 ¥6,700.2000

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