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| 数据手册 | VBM1101N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A |
| 栅源极阈值电压 | 3.5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 10mΩ @ 20A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250W |
库存：51,500
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.4694
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.4694 | ￥4.4694 |
| 10+ | ￥3.3306 | ￥33.3060 |
| 30+ | ￥3.1200 | ￥93.6000 |
| 100+ | ￥2.9094 | ￥290.9400 |
| 500+ | ￥2.8236 | ￥1,411.8000 |
| 1,000+ | ￥2.7768 | ￥2,776.8000 |
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