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VBE2309

P沟道,-30V,-65A,9mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBE2309 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 80A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 13mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 187W

库存:50,700

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.0358
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.0358 ¥2.0358
10+ ¥1.4976 ¥14.9760
30+ ¥1.4040 ¥42.1200
100+ ¥1.3026 ¥130.2600
500+ ¥1.2636 ¥631.8000
1,000+ ¥1.2402 ¥1,240.2000

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