图像仅供参考 请参阅产品规格
文档与媒体
| 数据手册 | UMW4N65F 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 2.8Ω @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 33W(Tc) |
库存：59,969
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.0374
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.0374 | ￥1.0374 |
| 10+ | ￥0.7762 | ￥7.7620 |
| 30+ | ￥0.7282 | ￥21.8460 |
| 100+ | ￥0.6802 | ￥68.0200 |
| 500+ | ￥0.6589 | ￥329.4500 |
| 1,000+ | ￥0.6483 | ￥648.3000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
