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| 数据手册 | LP2501DT1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 110mΩ @ 2.8A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 700mW |
库存：58,181
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.3511
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.3511 | ￥1.7555 |
| 50+ | ￥0.2631 | ￥13.1550 |
| 150+ | ￥0.2470 | ￥37.0500 |
| 500+ | ￥0.2308 | ￥115.4000 |
| 2,500+ | ￥0.2236 | ￥559.0000 |
| 5,000+ | ￥0.2201 | ￥1,100.5000 |
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