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KIA3510AB

N沟道,100V,75A

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KIA3510AB 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 75A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 11mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 166W

库存:57,475

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.4570
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.4570 ¥2.4570
10+ ¥1.8720 ¥18.7200
30+ ¥1.7628 ¥52.8840
100+ ¥1.6614 ¥166.1400
500+ ¥1.6068 ¥803.4000
1,000+ ¥1.5834 ¥1,583.4000

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