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TSF65R190S2

N沟道 650V

制造商:
Truesemi(信安)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSF65R190S2 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 190mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 34W(Tc)

库存:59,902

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥5.4210
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥5.4210 ¥5.4210
10+ ¥3.9936 ¥39.9360
30+ ¥3.7284 ¥111.8520
100+ ¥3.4710 ¥347.1000
500+ ¥3.3540 ¥1,677.0000
1,000+ ¥3.2916 ¥3,291.6000

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