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KND3508A

N沟道,80V,70A,11mΩ@10V,场效应管,MOSFET

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KND3508A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 70A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 12mΩ @ 35A,10V

库存:51,641

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.3209
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.3209 ¥1.3209
10+ ¥0.9889 ¥9.8890
30+ ¥0.9280 ¥27.8400
100+ ¥0.8670 ¥86.7000
500+ ¥0.8398 ¥419.9000
1,000+ ¥0.8265 ¥826.5000

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