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数据手册 | 2N7002T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 115mA |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 5Ω @ 500mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 150mW |
库存:50,074
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥0.1568
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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10+ | ¥0.1568 | ¥1.5680 |
100+ | ¥0.1159 | ¥11.5900 |
300+ | ¥0.1083 | ¥32.4900 |
1,000+ | ¥0.1008 | ¥100.8000 |
5,000+ | ¥0.0975 | ¥487.5000 |
10,000+ | ¥0.0958 | ¥958.0000 |
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