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KNB2910A

N沟道,100V,130A

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KNB2910A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 130A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 9mΩ @ 10A,70V
最大功率耗散(Ta=25°C) 300W(Tc)

库存:51,794

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.2448
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.2448 ¥3.2448
10+ ¥2.4648 ¥24.6480
30+ ¥2.3166 ¥69.4980
100+ ¥2.1762 ¥217.6200
500+ ¥2.1138 ¥1,056.9000
1,000+ ¥2.0826 ¥2,082.6000

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