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| 数据手册 | VBC6N2014 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
| 漏源电压（Vdss） | -20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.2A |
| 栅源极阈值电压 | 1.6V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 20mΩ @ 6.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W |
库存：51,566
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.1149
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.1149 | ￥1.1149 |
| 10+ | ￥0.8146 | ￥8.1460 |
| 30+ | ￥0.7596 | ￥22.7880 |
| 100+ | ￥0.7044 | ￥70.4400 |
| 500+ | ￥0.6799 | ￥339.9500 |
| 1,000+ | ￥0.6678 | ￥667.8000 |
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