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| 数据手册 | VBE1102N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 60A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 18.5mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W |
库存：52,231
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2.1450
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.1450 | ￥2.1450 |
| 10+ | ￥1.5990 | ￥15.9900 |
| 30+ | ￥1.5054 | ￥45.1620 |
| 100+ | ￥1.4040 | ￥140.4000 |
| 500+ | ￥1.3572 | ￥678.6000 |
| 1,000+ | ￥1.3338 | ￥1,333.8000 |
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