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VBMB165R18

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBMB165R18 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 18A
栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA
最大功率耗散(Ta=25°C) 68W

库存:50,878

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥6.4428
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥6.4428 ¥6.4428
10+ ¥4.7424 ¥47.4240
30+ ¥4.4304 ¥132.9120
100+ ¥4.1184 ¥411.8400
500+ ¥3.9858 ¥1,992.9000
1,000+ ¥3.9156 ¥3,915.6000

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