图像仅供参考 请参阅产品规格

VBMB1203M

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBMB1203M 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 10A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
最大功率耗散(Ta=25°C) 37W

库存:59,714

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.5834
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.5834 ¥1.5834
10+ ¥1.1700 ¥11.7000
30+ ¥1.0920 ¥32.7600
100+ ¥1.0140 ¥101.4000
500+ ¥0.9828 ¥491.4000
1,000+ ¥0.9672 ¥967.2000

申请更低价? 请联系客服

新品资讯