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数据手册 | VBMB1203M 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 10A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 37W |
库存:59,714
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.5834
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.5834 | ¥1.5834 |
10+ | ¥1.1700 | ¥11.7000 |
30+ | ¥1.0920 | ¥32.7600 |
100+ | ¥1.0140 | ¥101.4000 |
500+ | ¥0.9828 | ¥491.4000 |
1,000+ | ¥0.9672 | ¥967.2000 |
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