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| 数据手册 | VBE1104N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 40A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 34mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.75W |
库存：57,488
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2.7768
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.7768 | ￥2.7768 |
| 10+ | ￥2.0514 | ￥20.5140 |
| 30+ | ￥1.9188 | ￥57.5640 |
| 100+ | ￥1.7784 | ￥177.8400 |
| 500+ | ￥1.7238 | ￥861.9000 |
| 1,000+ | ￥1.6926 | ￥1,692.6000 |
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