图像仅供参考 请参阅产品规格
文档与媒体
| 数据手册 | VBM1101M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 92mΩ @ 18A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 105W |
库存：53,449
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.7472
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.7472 | ￥1.7472 |
| 10+ | ￥1.2870 | ￥12.8700 |
| 30+ | ￥1.2090 | ￥36.2700 |
| 100+ | ￥1.1232 | ￥112.3200 |
| 500+ | ￥1.0842 | ￥542.1000 |
| 1,000+ | ￥1.0686 | ￥1,068.6000 |
申请更低价? 请联系客服
