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| 数据手册 | VBE1106N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 25A |
| 栅源极阈值电压 | 1.6V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 62mΩ @ 8A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 83W |
库存：54,105
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2.3556
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.3556 | ￥2.3556 |
| 10+ | ￥1.7394 | ￥17.3940 |
| 30+ | ￥1.6224 | ￥48.6720 |
| 100+ | ￥1.5132 | ￥151.3200 |
| 500+ | ￥1.4586 | ￥729.3000 |
| 1,000+ | ￥1.4352 | ￥1,435.2000 |
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