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| 数据手册 | LNB20N65 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 500mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250W(Tc) |
库存：56,074
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.7720
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.7720 | ￥5.7720 |
| 10+ | ￥4.2666 | ￥42.6660 |
| 30+ | ￥3.9858 | ￥119.5740 |
| 100+ | ￥3.7128 | ￥371.2800 |
| 500+ | ￥3.5880 | ￥1,794.0000 |
| 1,000+ | ￥3.5256 | ￥3,525.6000 |
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