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CS2N60A3H

N沟道,600V,2A,3.6Ω@10V

制造商:
华润华晶
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CS2N60A3H 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 4.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 35W(Tc)

库存:51,669

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.6622
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.6622 ¥0.6622
10+ ¥0.4946 ¥4.9460
30+ ¥0.4639 ¥13.9170
100+ ¥0.4331 ¥43.3100
500+ ¥0.4193 ¥209.6500
1,000+ ¥0.4126 ¥412.6000

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