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LSGN10R085W3

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LSGN10R085W3 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
栅源极阈值电压 2.2V @ 250uA
漏源导通电阻 10.5mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 96W(Tc)

库存:55,213

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.5818
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.5818 ¥2.5818
10+ ¥1.8954 ¥18.9540
30+ ¥1.7706 ¥53.1180
100+ ¥1.6380 ¥163.8000
500+ ¥1.5834 ¥791.7000
1,000+ ¥1.5600 ¥1,560.0000

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