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数据手册 | VSI013N08MS 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 66A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 16mΩ @ 10A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 83W |
库存:53,784
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.8252
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.8252 | ¥1.8252 |
10+ | ¥1.3416 | ¥13.4160 |
30+ | ¥1.2480 | ¥37.4400 |
100+ | ¥1.1622 | ¥116.2200 |
500+ | ¥1.1232 | ¥561.6000 |
1,000+ | ¥1.0998 | ¥1,099.8000 |
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