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KNP2910A

N沟道 130A 100V

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KNP2910A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 130A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 9mΩ @ 70A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 300W

库存:57,239

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.1200
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.1200 ¥3.1200
10+ ¥2.3400 ¥23.4000
30+ ¥2.1996 ¥65.9880
100+ ¥2.0514 ¥205.1400
500+ ¥1.9890 ¥994.5000
1,000+ ¥1.9578 ¥1,957.8000

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