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| 数据手册 | VBE1101M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 15A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 114mΩ @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W |
库存：50,400
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.4188
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.4188 | ￥1.4188 |
| 10+ | ￥1.0500 | ￥10.5000 |
| 30+ | ￥0.9823 | ￥29.4690 |
| 100+ | ￥0.9146 | ￥91.4600 |
| 500+ | ￥0.8844 | ￥442.2000 |
| 1,000+ | ￥0.8695 | ￥869.5000 |
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