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| 数据手册 | VBM165R12 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
库存：58,138
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.4382
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.4382 | ￥4.4382 |
| 10+ | ￥3.2682 | ￥32.6820 |
| 30+ | ￥3.0576 | ￥91.7280 |
| 100+ | ￥2.8392 | ￥283.9200 |
| 500+ | ￥2.7456 | ￥1,372.8000 |
| 1,000+ | ￥2.6988 | ￥2,698.8000 |
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