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AU4N60S

N沟道,650V,4A,2.4Ω@10V

制造商:
AnBon(台湾安邦)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 AU4N60S 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 77W(Tc)

库存:55,395

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.2204
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.2204 ¥1.2204
10+ ¥0.9027 ¥9.0270
30+ ¥0.8443 ¥25.3290
100+ ¥0.7859 ¥78.5900
500+ ¥0.7600 ¥380.0000
1,000+ ¥0.7472 ¥747.2000

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