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CS4N60A7HD

N沟道,600V,4A,1.8Ω@10V

制造商:
华润华晶
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CS4N60A7HD 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 2.3Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 30W(Tc)

库存:50,993

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.9731
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.9731 ¥0.9731
10+ ¥0.7197 ¥7.1970
30+ ¥0.6731 ¥20.1930
100+ ¥0.6267 ¥62.6700
500+ ¥0.6060 ¥303.0000
1,000+ ¥0.5958 ¥595.8000

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