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LSD65R099GF

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LSD65R099GF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻 99mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 35W(Tc)

库存:51,053

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥10.8888
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥10.8888 ¥10.8888
10+ ¥7.9716 ¥79.7160
30+ ¥7.4334 ¥223.0020
100+ ¥6.9030 ¥690.3000
500+ ¥6.6612 ¥3,330.6000
1,000+ ¥6.5442 ¥6,544.2000

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