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| 数据手册 | VBMB1208N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 42W |
库存：50,996
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.3290
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.3290 | ￥4.3290 |
| 10+ | ￥3.1902 | ￥31.9020 |
| 30+ | ￥2.9796 | ￥89.3880 |
| 100+ | ￥2.7768 | ￥277.6800 |
| 500+ | ￥2.6832 | ￥1,341.6000 |
| 1,000+ | ￥2.6364 | ￥2,636.4000 |
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