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VBL1104N

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBL1104N 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 45A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 30mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 127W

库存:51,688

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.6208
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.6208 ¥2.6208
10+ ¥1.9344 ¥19.3440
30+ ¥1.8096 ¥54.2880
100+ ¥1.6770 ¥167.7000
500+ ¥1.6224 ¥811.2000
1,000+ ¥1.5990 ¥1,599.0000

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